TK31V60W5,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
Artikelnummer: | TK31V60W5,LVQ |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $4.30 |
10+ | $3.863 |
100+ | $3.1654 |
500+ | $2.6947 |
1000+ | $2.2726 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 4-DFN-EP (8x8) |
Serie | DTMOSIV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 109mOhm @ 15.4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 240W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 4-VSFN Exposed Pad |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TA) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30.8A (Ta) |
Grundproduktnummer | TK31V60 |
TK31V60W5,LVQ Einzelheiten PDF [English] | TK31V60W5,LVQ PDF - EN.pdf |
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![]() TK31V60W5,LVQToshiba Semiconductor and Storage |
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Zielpreis (USD)
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